2", 3" и 4" InP субстрат

Изпрати запитване

Описание на продукта:

Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company предоставя висококачествени пластини от индиев фосфид (InP) като ключов полупроводников материал, използван в областта на телекомуникациите и микроелектрониката. InP може да работи при високи мощности и температури. InP се използва в комуникация с оптични влакна, безжична мрежа (WLAN), мобилни телефони, комуникация със син зъб, сателитни комуникации, монолитна микровълнова интегрална схема (MMIC), както и радиочестотна интегрална схема (RFIC).

Елемент	единица	Полуизолационен Спецификации	Полупроводимост Спецификации
Тип поведение			(n-тип)		(p-тип)
Метод за растеж на кристали		VGF	VGF
Допант		Fe	S,Sn	Без допинг		Zn
Диаметър	инч	2",3",4"	2",3 градуса,4"
Ориентация на вафли*		(100)±0,5 градуса	(100)±0,5 градуса
НА/АКО		САЩ, EJ	САЩ, EJ
Съпротивление (при стайна температура)	ом.см	По-голямо или равно на 0.5×10⁷	-- -- --
Концентрация на носителя	См^-3	--	(0.8-8)×10¹⁸	(1-10)×10¹⁵		(0.8-8)×10¹⁸
Мобилност	cm²/спрямо	По-голямо или равно на 1000	1000-2500	3000-5000		50-100
Плътност на ецване (EPD)	cm²	По-малко или равно на 5000	По-малко или равно на 5000	По-малко или равно на 5000		По-малко или равно на 500
Лазерно маркиране		При запитване	При запитване
Дебелина*	μm	(350-675)±25	(350-675)±25
TTV (PIP)	μm	По-малко или равно на 10	По-малко или равно на 10
TTV (P/E)	μm	По-малко или равно на 15	По-малко или равно на 15
Деформация	μm	По-малко или равно на 15	По-малко или равно на 15
Повърхност	Страна1	Полиран/гравиран	Полиран/гравиран
Повърхност	Страна 2	Полиран/гравиран	Полиран/гравиран
Epi-готов		да	да
Пакет		Касета или единична контейнер за вафли	Касета или единична контейнер за вафли

Ориентацията и дебелината на вафлите са налични при поискване.

Популярни тагове: 2", 3" и 4" inp субстрат, Китай 2", 3" и 4" inp субстрат производители, доставчици, фабрика