2 "-6 " GaAs субстрат

GaAs подложка или GaAs подложка. 2" GaAs пластина, 3" GaAs пластина, 4" GaAs пластина, 6" GaAs пластина
GaAs пластина за VCSEL, GaAs пластина за LD, GaAs пластина за LED, GaAs пластина за микроелектроника.

Изпрати запитване

Монокристален галиев арсенид

GaAs подложка или GaAs подложка. 2" GaAs пластина, 3" GaAs пластина, 4" GaAs пластина, 6" GaAs пластина

GaAs пластина за VCSEL, GaAs пластина за LD, GaAs пластина за LED, GaAs пластина за микроелектроника.

GaAs субстратни пластини
АРТИКУЛ	единица	Спецификации на приложенията на LD	Спецификации на LED приложения	Микроелектронни спецификации
Тип поведение		n-тип	p-тип/n-тип	-
Метод за растеж на кристали		VGF	VGF	VGF
Допант		Si	Zn/Si	Без допинг
Диаметър	инч	2", 3", 4" и 6"	2", 3", 4" и 6"	2", 3", 4" и 6"
Ориентация на вафли		(100)±0,1 градуса	(100)±0,5 градуса	(100)±0,5 градуса
НА/АКО		САЩ или EJ	САЩ или EJ	US, EJ или прорез
Концентрация на Карире	/cm³	(0.4-2.5)×10¹⁸	(0.5-5)×10¹⁹ (0.4-4)×10¹⁸
Съпротивление (при стайна температура)	ом.см	(1.2-9.9)×10^-3	(1.2-9.9)×10^-3	>10⁷
Мобилност	cm²/спрямо	>1500	5-120/>1000	>4000
Плътност на ецване (EPD)	/см²	<500	<5000	<5000
Лазерно маркиране		При запитване	При запитване	При запитване
Дебелина	μm	(350-650)±25	(350-650)±25	(350-650)±25
TTV (P/P)	μm	По-малко или равно на 5	По-малко или равно на 5	По-малко или равно на 4
TTV (P/E)	μm	По-малко или равно на 10	По-малко или равно на 10	По-малко или равно на 10
Деформация	μm	По-малко или равно на 10	По-малко или равно на 10	По-малко или равно на 10
Повърхност	Страна1 Страна 2	Полиран Полиран/гравиран	Полиран Полиран/гравиран	Полиран Полиран/гравиран
Epi-готов		да	да	да
Пакет		Касета или контейнер за единични вафли	Касета или контейнер за единични вафли	Касета или контейнер за единични вафли
* Дебелината и ориентацията на вафлата могат да бъдат зададени.