Като доставчик на CZ силиконови слиети, осигуряването на висококачествени продукти е не само ангажимент за нашите клиенти, но и ключов фактор за поддържането на нашата конкурентоспособност на пазара. В този блог ще споделя някои ефективни начини за подобряване на мерките за контрол на качеството за производството на CZ Silicon Ingot.
1. Избор и проверка на суровините
Качеството на суровините е в основата на производството на висококачествени CZ силиконови слиети. Трябва да източваме поликристален силиций с висока чистота от надеждни доставчици. Преди да използвате суровините, трябва да се извършват поредица от строги проверки.
Първо, чистотата на поликристалния силиций трябва да бъде точно измерена. Можем да използваме усъвършенствани аналитични инструменти като индуктивно свързана плазмена масспектрометрия (ICP - MS), за да определим съдържанието на различни примеси в суровините. Например, примеси като бор, фосфор и метални елементи могат значително да повлияят на електрическите свойства на крайните силиконови блокове.
В допълнение към чистотата, физическите свойства на суровините също трябва да бъдат инспектирани. Размерът, формата и плътността на поликристалните силиконови парченца могат да повлияят на процеса на топене и равномерността на разтопения силиций. Неравномерно оформените или прекалено големи парчета могат да причинят неравномерно топене, което води до проблеми с качеството в сгота.
Ние предлагаме два основни вида силиконови блокове:Полу клас силиконов блок (≥99.9999999%)иСиликонов блок на слънчевия клас (≥99.9999%). Изискванията с висока чистота на тези продукти започват от внимателния избор и проверка на суровините.
2. Контрол на околната среда на пещта
Процесът на Czochralski (CZ), който се използва за отглеждане на силициеви блокове, е силно чувствителен към средата на пещта. Контролът на температурата е от изключително значение. Температурата в пещта трябва да бъде прецизно регулирана по време на етапите на растеж на топене, засяване и кристали.
По време на етапа на топене температурата трябва да е достатъчно висока, за да се разтопи напълно поликристалния силиций, но не твърде висока, за да предизвика прекомерно изпаряване на силиций или други примеси. Можем да използваме множество термодвойки, поставени на различни позиции в пещта, за да наблюдаваме точно температурата. Усъвършенстваните системи за контрол на температурата могат да регулират мощността на отоплението в реално време, за да поддържат стабилна температура.
Газовата атмосфера в пещта също играе решаваща роля. Инертните газове като аргон обикновено се използват за предотвратяване на окисляване на разтопения силиций. Дебитът и чистотата на аргоновия газ трябва да бъдат строго контролирани. Примесите в аргоновия газ могат да замърсят разтопения силиций и да повлияят на качеството на слината. Може да се монтира система за пречистване на газ, за да се гарантира високата чистота на аргоновия газ.
3. Контрол на растежа на засяване и кристал
Процесът на засяване е началната точка на растежа на кристалите. Висококачественият кристал за семена е от съществено значение. Кристалът на семената трябва да има перфектна кристална структура и ниско примеси. Преди процеса на засяване кристалът на семената трябва да бъде внимателно почистен, за да се отстранят всички повърхностни замърсители.
По време на процеса на растеж на кристалите, скоростта на дърпане и скоростта на въртене на кристала на семената трябва да бъдат прецизно контролирани. Необходима е стабилна скорост на дърпане, за да се гарантира равномерна скорост на растеж на кристалите. Ако скоростта на дърпане е твърде бърза, кристалът може да развие дефекти като дислокации или празнини. От друга страна, също - бавната скорост на дърпане може да доведе до прекомерно натрупване на топлина и също така да причини проблеми с качеството.
Скоростта на въртене на кристала на семената помага да се насърчи равномерното разпределение на топлина и примеси в разтопения силиций. Чрез регулиране на скоростта на въртене можем да подобрим радиалната и аксиалната равномерност на слината. Реално - наблюдение на времето на процеса на растеж на кристалите, използвайки техники като лазерна интерферометрия, може да предостави ценна информация за регулиране на скоростта на изтегляне и скоростта на въртене.
4. Пост - Проверка на растежа и обработка
След приключване на растежа на кристалите, Силиконовият блок трябва да претърпи поредица от проверки. Визуалната проверка може да се използва за откриване на очевидни повърхностни дефекти като пукнатини, драскотини или включвания. За вътрешните дефекти обаче са необходими по -усъвършенствани методи за разрушително тестване.
X - Дифракцията на лъчите може да се използва за анализ на кристалната структура на сплита и откриване на всички дефекти на решетката. Ултразвуковото тестване може да открие вътрешни празнини или нехомогенности. Тези методи за проверка могат да ни помогнат да идентифицираме под -стандартните блокове рано и да предприемем подходящи мерки, като например претопяване или бракуване.
В допълнение към проверката, обработката на растежа също е важна за подобряване на качеството на слината. Нарязването на сливането на вафли изисква високо - прецизно оборудване за рязане. Процесът на рязане трябва да бъде внимателно контролиран, за да се сведе до минимум грапавостта на повърхността и повреда на вафлите. След нарязване на вафлите трябва да бъдат полирани, за да се постигне гладка повърхност, което е от решаващо значение за следващите процеси за производство на полупроводници или слънчеви клетки.
5. Система за обучение на персонала и управление на качеството
Добре - обучения персонал е ключът към прилагането на ефективни мерки за контрол на качеството. Нашите служители трябва да имат дълбоко разбиране на процеса на производство на CZ силиконов слип, включително обработка на суровини, експлоатация на пещта и техники за проверка. Могат да бъдат организирани редовни програми за обучение, за да се актуализират своите знания и умения.
Трябва да се създаде цялостна система за управление на качеството. Тази система трябва да обхваща всички аспекти на производствения процес, от закупуване на суровини до крайната доставка на продукта. Точките за контрол на качеството трябва да бъдат ясно дефинирани на всеки етап от производството и трябва да се спазват строги процедури за проверка.
Можем да внедрим и система за проследяване. На всеки силиконов блок може да бъде присвоен уникален идентификационен номер и всички съответни производствени данни, като например номера на партиди на суровини, параметри за експлоатация на пещта и резултати от проверка, могат да бъдат записани. Тази система за проследяване ни позволява бързо да идентифицираме и адресираме всички проблеми с качеството, които могат да възникнат.
6. Непрекъснато подобрение
Контролът на качеството е продължаващ процес. Трябва редовно да преглеждаме и анализираме производствените данни, за да идентифицираме области за подобрение. Чрез събиране и анализиране на данни за дефектите на продукта, производствените добиви и отзивите на клиентите можем да намерим първопричините за проблемите на качеството и да разработим съответните мерки за подобряване.
Например, ако установим, че определен тип дефект се среща често, можем да проведем в - дълбочинно проучване, за да определим дали е свързан със суровините, околната среда на пещта или процеса на растеж на кристалите. Въз основа на резултатите от изследванията можем да направим корекции на производствения процес или мерките за контрол на качеството.
В заключение, подобряването на мерките за контрол на качеството за производството на Silicon Ingot CZ изисква цялостен подход, който обхваща подбора на суровини, контрол на околната среда на пещта, контрол на растежа на кристали, проверка на растежа, обучение на персонала и непрекъснато подобрение. Чрез прилагането на тези мерки можем да гарантираме високото качество на нашите CZ силиконови блокове и да отговаряме на строгите изисквания на нашите клиенти.
Ако се интересувате от нашитеПолу клас силиконов блок (≥99.9999999%)илиСиликонов блок на слънчевия клас (≥99.9999%), Моля, не се колебайте да се свържете с нас за повече информация и дискусии за обществени поръчки.
ЛИТЕРАТУРА
- Smith, J. (2018). Силиконова технология за растеж на кристали. Спрингър.
- Джоунс, А. (2020). Контрол на качеството при производството на полупроводници. Уайли.
- Brown, C. (2019). Наръчник за технология на силициеви вафли. Elsevier.